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【秋招】嵌入式面試八股文- 硬件基礎(chǔ) 篇

【秋招】嵌入式面試八股文 - 最全專欄

一、二極管基礎(chǔ)知識

1. 基本結(jié)構(gòu)與工作原理

  • PN結(jié)構(gòu):由P型半導體和N型半導體組成
  • 單向?qū)щ娦?/strong>:正向偏置導通,反向偏置截止
  • 伏安特性:非線性特性,有導通電壓降

2. 常見二極管類型

  • 普通二極管:整流、檢波等
  • 穩(wěn)壓二極管:利用反向擊穿特性穩(wěn)定電壓
  • 肖特基二極管:金屬-半導體結(jié),正向壓降低,開關(guān)速度快
  • 發(fā)光二極管(LED):正向?qū)〞r發(fā)光

3. 常見面試問題

  1. 二極管的導通電壓是多少?硅二極管:約0.6-0.7V鍺二極管:約0.2-0.3V肖特基二極管:約0.2-0.4VLED:約1.2-3.0V(取決于顏色)
  2. 二極管的主要參數(shù)有哪些?最大正向電流(IF)最大反向電壓(VR)正向壓降(VF)反向漏電流(IR)結(jié)電容(CJ)恢復時間(trr)
  3. 如何判斷二極管的好壞?

二、三極管(BJT)

1. 基本結(jié)構(gòu)與工作原理

  • 結(jié)構(gòu):NPN型和PNP型兩種
  • 三個區(qū)域:發(fā)射區(qū)(E)、基區(qū)(B)、集電區(qū)(C)
  • 工作原理:基極電流控制集電極電流,具有電流放大作用
  • 放大倍數(shù):β = IC/IB(典型值50-300)

2. 工作模式

  • 截止區(qū):IB=0,IC≈0
  • 放大區(qū):基極-發(fā)射極結(jié)正偏,集電極-基極結(jié)反偏
  • 飽和區(qū):兩個PN結(jié)都正偏
  • 擊穿區(qū):超過最大額定值,可能損壞器件

3. 常見應用電路

  • 共發(fā)射極放大電路
  • 開關(guān)電路

4. 常見面試問題

  1. 三極管的三種工作狀態(tài)如何區(qū)分?截止狀態(tài):VBE < 0.7V,IC ≈ 0放大狀態(tài):VBE > 0.7V,VCE > VCE(sat)飽和狀態(tài):VBE > 0.7V,VCE ≈ VCE(sat)(約0.2-0.3V)
  2. NPN和PNP三極管的區(qū)別?結(jié)構(gòu)不同:NPN由兩個N型半導體夾一個P型,PNP相反電流方向不同:NPN的電流從集電極流向發(fā)射極,PNP相反偏置電壓不同:NPN需要基極正偏,PNP需要基極負偏應用場合不同:NPN更常用于低側(cè)開關(guān),PNP常用于高側(cè)開關(guān)
  3. 三極管的主要參數(shù)有哪些?電流放大系數(shù)(β)集電極最大電流(IC(max))集電極-發(fā)射極擊穿電壓(VCEO)集電極-基極擊穿電壓(VCBO)基極-發(fā)射極擊穿電壓(VEBO)飽和電壓(VCE(sat))轉(zhuǎn)換頻率(fT)
  4. 三極管的溫度特性如何?
  5. 如何設(shè)計三極管開關(guān)電路?

三、MOS管(MOSFET)

1. 基本結(jié)構(gòu)與工作原理

  • 結(jié)構(gòu):N溝道和P溝道兩種
  • 四個區(qū)域:源極(S)、柵極(G)、漏極(D)、襯底(B)
  • 工作原理:柵極電壓控制漏源電流,屬于電壓控制器件
  • 增強型和耗盡型:增強型需要柵壓才能導通,耗盡型零柵壓時已導通

2. 工作模式

  • 截止區(qū):VGS < Vth,ID ≈ 0
  • :VGS > Vth,VDS < VGS-Vth

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發(fā)布于 05-15 02:46 浙江
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發(fā)布于 05-14 21:11 AI生成

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