【秋招】嵌入式面試八股文- 硬件基礎(chǔ) 篇
【秋招】嵌入式面試八股文 - 最全專欄
一、二極管基礎(chǔ)知識
1. 基本結(jié)構(gòu)與工作原理
- PN結(jié)構(gòu):由P型半導體和N型半導體組成
- 單向?qū)щ娦?/strong>:正向偏置導通,反向偏置截止
- 伏安特性:非線性特性,有導通電壓降
2. 常見二極管類型
- 普通二極管:整流、檢波等
- 穩(wěn)壓二極管:利用反向擊穿特性穩(wěn)定電壓
- 肖特基二極管:金屬-半導體結(jié),正向壓降低,開關(guān)速度快
- 發(fā)光二極管(LED):正向?qū)〞r發(fā)光
3. 常見面試問題
- 二極管的導通電壓是多少?硅二極管:約0.6-0.7V鍺二極管:約0.2-0.3V肖特基二極管:約0.2-0.4VLED:約1.2-3.0V(取決于顏色)
- 二極管的主要參數(shù)有哪些?最大正向電流(IF)最大反向電壓(VR)正向壓降(VF)反向漏電流(IR)結(jié)電容(CJ)恢復時間(trr)
- 如何判斷二極管的好壞?
二、三極管(BJT)
1. 基本結(jié)構(gòu)與工作原理
- 結(jié)構(gòu):NPN型和PNP型兩種
- 三個區(qū)域:發(fā)射區(qū)(E)、基區(qū)(B)、集電區(qū)(C)
- 工作原理:基極電流控制集電極電流,具有電流放大作用
- 放大倍數(shù):β = IC/IB(典型值50-300)
2. 工作模式
- 截止區(qū):IB=0,IC≈0
- 放大區(qū):基極-發(fā)射極結(jié)正偏,集電極-基極結(jié)反偏
- 飽和區(qū):兩個PN結(jié)都正偏
- 擊穿區(qū):超過最大額定值,可能損壞器件
3. 常見應用電路
- 共發(fā)射極放大電路
- 開關(guān)電路
4. 常見面試問題
- 三極管的三種工作狀態(tài)如何區(qū)分?截止狀態(tài):VBE < 0.7V,IC ≈ 0放大狀態(tài):VBE > 0.7V,VCE > VCE(sat)飽和狀態(tài):VBE > 0.7V,VCE ≈ VCE(sat)(約0.2-0.3V)
- NPN和PNP三極管的區(qū)別?結(jié)構(gòu)不同:NPN由兩個N型半導體夾一個P型,PNP相反電流方向不同:NPN的電流從集電極流向發(fā)射極,PNP相反偏置電壓不同:NPN需要基極正偏,PNP需要基極負偏應用場合不同:NPN更常用于低側(cè)開關(guān),PNP常用于高側(cè)開關(guān)
- 三極管的主要參數(shù)有哪些?電流放大系數(shù)(β)集電極最大電流(IC(max))集電極-發(fā)射極擊穿電壓(VCEO)集電極-基極擊穿電壓(VCBO)基極-發(fā)射極擊穿電壓(VEBO)飽和電壓(VCE(sat))轉(zhuǎn)換頻率(fT)
- 三極管的溫度特性如何?
- 如何設(shè)計三極管開關(guān)電路?
三、MOS管(MOSFET)
1. 基本結(jié)構(gòu)與工作原理
- 結(jié)構(gòu):N溝道和P溝道兩種
- 四個區(qū)域:源極(S)、柵極(G)、漏極(D)、襯底(B)
- 工作原理:柵極電壓控制漏源電流,屬于電壓控制器件
- 增強型和耗盡型:增強型需要柵壓才能導通,耗盡型零柵壓時已導通
2. 工作模式
- 截止區(qū):VGS < Vth,ID ≈ 0
- :VGS > Vth,VDS < VGS-Vth
剩余60%內(nèi)容,訂閱專欄后可繼續(xù)查看/也可單篇購買
【秋招】嵌入式八股文最全總結(jié) 文章被收錄于專欄
雙非本,211碩。本碩均為機械工程,自學嵌入式,在校招過程中拿到小米、格力、美的、比亞迪、海信、???、大華、江波龍等offer。八股文本質(zhì)是需要大家理解,因此里面的內(nèi)容一定要詳細、深刻!這個專欄是我個人的學習筆記總結(jié),是對很多面試問題進行的知識點分析,專欄保證高質(zhì)量,讓大家可以高效率理解與吸收里面的知識點!掌握這里面的知識,面試絕對無障礙!